SK hynix、米国に先端半導体の製造/研究施設。約5,900億円を投資

2024.04.04 17:22
Impress.co.jp

SK hynixは3日(韓国時間)、最新のHBMやDRAMなど向けの先端パッケージング製造および研究開発施設を、米インディアナ州ウェストラファイエットに建設すると発表した。投資額は約38億7,000万ドル(日本円で約5,870億円)の見込みで、1,000人超の新規雇用をもたらすとともに、米国におけるAIサプライチェーン強化が期待できるとしている。

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